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                15年MOS管制造大发快三计划在线计划专家大发快三邀请码2018,广州飞虹详彩神8解MOS管中的米勒电容效应

                文章作者:飞虹电子 浏览量:1457 类型:行业资讯 日期:2018-11-23 10:55:40 分享:

                随着电子科技技术的发展,MOS管被广泛应用于各个领域。对于行业彩神‖下载人士来说,只要接触电子电路设计,就必然正版棋牌下载需要接触MOS管。而在MOS管的全国快三官网使用过程中,会出现一种常见的作用现象——米勒效应,它一般会出现在MOS管的开通器件之中。而且,在MOS管中,门极和漏极间还会存在米勒电容。



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                那么,什么是米勒电容呢?米勒电容并非→指存在MOS管中大发快三预测的电容,它是由MOSFET棚漏极间的电容反映到输彩票平台注册送金入的等效电容。根据米勒定理Ψ可以得知,这个等效电容比棚漏间的实际电容要大许多,随彩神大发快三增益变化,而由该效应所形成的等效电容称为米勒电容。


                当遇到MOS管出现米勒电容,从而影响整体的开启时间时,有相关人士会考虑在栅极和源极间并联一个小电容¤。但根据米勒定力手机投注平台,在棚源极间并联一个电一肖免费中特王中王容对减小米勒电容于事无补,反之更会神彩争霸下载网址降低MOSFET的开启速度,增加开通关断时间。


                因此,针对这一现象,我们应如何正确地处理呢?根据工程师№的经验之谈,正确的处理方式是在关断感性负载时,如果驱动电路内阻不够小,可以在MOS的GS间并卐联一个适当的电容,而不是→并联一个越小越好的电容。这样做可以防止关断时因米勒电容影响出现的漏极电压塌江苏快三计划陷。


                而在测试的过程中,一旦遇到米勒效应电容大发快三走势图怎么看问题,首先要依据查询数据手册进行王者彩票计算,在估算出电容数值后选取适当电容进行电路系统修改调整。



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